武汉新核心计划投资240亿美元建设芯片工厂:亚博app下载安装

本文摘要:市调业者DRAMeXchange回答说,在世界半导体市场上,NANDFlash事业从2011~2016年开始以年均填充增长率(CARG)47%的速度繁荣。清华紫外光在新正式成立的长江储藏中展开武汉新核心的股票收购,正式成立长江储藏科技有限责任公司,将来可能会引起NANDFlash市场的布局变化。

投资

工厂

据韩国经济报道,大陆半导体产业在政府的大力支持下,清华紫外光和武汉的新芯采取了攻击性投资战略,韩国、日本、美国等主要半导体业者也不得不加强投资。市调业者DRAMeXchange回答说,在世界半导体市场上,NANDFlash事业从2011~2016年开始以年均填充增长率(CARG)47%的速度繁荣。清华紫外光在新正式成立的长江储藏中展开武汉新核心的股票收购,正式成立长江储藏科技有限责任公司,将来可能会引起NANDFlash市场的布局变化。

紫外光

清华紫外光享受清华大学的人脉,在社会上享有一定的影响力,武汉的新芯享受技术方面的竞争力,两者的分割在为大陆内存产业的发展开辟新局面的同时,不会对全世界内存市场产生大的影响。以前武汉的新核心与美国材料半导体运营商Spansion共同开发了3DNANDFlash技术,具有批量生产32层填充晶片的技术能力,现在武汉的新核心计划投资240亿美元建设晶片工厂。面对大陆的巨大追赶,三星电子在继续开展西安工厂投资的同时,集中建设位于韩国的平泽工厂,成为世界上最大规模的单一生产线,用于3DNANDFlash的量产。

工厂

三星在平泽工厂的投资额中看到了15.6万亿韩元(约140亿美元)。SK海力士在韩国利川建设的M14工厂预计从2017年第1季度开始将开展3DNANDFlash的2阶段量产。

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