最新LED技术成果:阵列化LED制造研究进展情况|亚博app下载安装

本文摘要:近年来,微纳米科学技术发展迅速,在产业化方面已经取得了很多进展。

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近年来,微纳米科学技术发展迅速,在产业化方面已经取得了很多进展。但是,构建高密度、规模化微纳米结构的批量操作是构建芯片器件非常困难的重要因素之一。众所周知,利用光镊技术可以构建各个微纳米结构操作,但大面积阵列的操作需要时间。

构建芯片内高密度、规模化一维微纳米阵列的特定对准趋势生产是器件构建的重要挑战。氧化锌(ZnO )是一维微纳米结构家族的伟大一员,是必要的宽带隙(3.3eV )半导体,激子结合能为60meV。适用于激光发射单元、场发射晶体管、光子检测器和发电机。

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氧化锌微纳米结构可以用于室温下高效平稳的激子紫外(UV )电磁辐射材料。迄今为止,关于可通过局部生长、输送气体流动等进行水平排列的微米纳米结构阵列的制造,有少量的研究报告。

但是,目前还没有报告p型氮化镓(GaN )上的大面积ZnO微阵列能够在水平面内实现原作方向、周期性生产的操作,利用微米结构开发芯片内LED器件的潜在功能。中国科学院苏州生物医学工程技术研究所医疗用微纳米技术研究室的郭振博士通过判别技术取得了p-GaN层的大面积水平排名、周期性生产的ZnOmicrorod阵列(单一ZnO微米篮子的直径为2m ), 构建用bottomup法制造的ZnO微米棒阵列从横向向水平方向的趋势变化,在水平面内构建水平排名的ZnO微阵列趋势调制(=90或45 ),得到低密度排名的ZnO微棒:其趋势偏差角为利用氧化锌的压电和长带隙半导体特性,向横向和水平方向的排序ZnOmicrorod/p-GaN生产异质结发光二极管,获得了点和线状LED闪烁图像。通过研究材料的压电特性,构建了LED发射色从紫外蓝色到黄绿色的调制。

其研究为明确芯片内大面积阵列化LED和其他电光器件的构筑生产提出了新的方法。

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